Pat
J-GLOBAL ID:200903033888616501
半導体発光素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998050774
Publication number (International publication number):1998321965
Application date: Mar. 03, 1998
Publication date: Dec. 04, 1998
Summary:
【要約】【課題】 GaN系材料を用いた半導体レーザにおいて、低しきい値でのレーザ発振を可能にする。【解決手段】 活性層26にキャリアの量子閉じ込め構造を有する半導体レーザにおいて、量子閉じ込め構造は、In0.15Ga0.85Nを量子井戸層261に有し、In0.05Ga0.95Nを障壁層262に有する量子井戸構造であり、量子井戸層261の厚さを1nmと薄く設定し、量子閉じ込め構造中の励起子の結合エネルギーを、バルク中でのそれよりも十分大きくしてLOフォノンエネルギーに略一致させた。
Claim (excerpt):
活性層の少なくとも一部にキャリアの量子閉じ込め構造を有する半導体発光素子において、前記量子閉じ込め構造中の励起子の結合エネルギー若しくは不純物の束縛エネルギーを、LOフォノンエネルギーの正の整数倍に概略一致させてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (20)
-
励起子レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-186148
Applicant:日本電信電話株式会社
-
半導体レーザー
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-349647
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-230285
Applicant:ソニー株式会社, ザプロボストフェローズアンドスカラーズオブザカレッジオブザホーリーアンドアンディバイデッドトリニティーオブクイーンエリザベスニアダブリン
-
窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-036250
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-271088
Applicant:株式会社東芝
-
半導体レーザー装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-189243
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-179315
Applicant:三菱電機株式会社
-
半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-005475
Applicant:株式会社日立製作所
-
特開平2-246292
-
光強度変調素子及び光強度変調素子付き半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-048088
Applicant:沖電気工業株式会社
-
半導体レーザの長距離伝送評価方法及び評価装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-027482
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-029946
Applicant:シャープ株式会社
-
半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-057842
Applicant:ソニー株式会社
-
窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-181573
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
窒化物半導体デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-290218
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-294711
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-198306
Applicant:松下電器産業株式会社
-
超高輝度発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-165176
Applicant:ヒューレット・パッカード・カンパニー
-
特開平3-183183
-
特開平2-211686
Show all
Return to Previous Page