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J-GLOBAL ID：200903033888641468

液晶表示装置およびその製造方法

Inventor： 河内 玄士朗 ,  品川 陽明 ,  三村 秋男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999191210
Publication number (International publication number)：2000081642
Application date： Jul. 06, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】結晶粒径が大きくかつ、表面凹凸が小さな結晶性半導体表面の凹凸を得る。【解決手段】水素を含む非晶質半導体の膜厚を45nm以下とし、レーザ照射により一旦多結晶半導体を作製した後、さらに高エネルギーのレーザを照射して、前のレーザ照射によって形成された結晶粒を融着させて、さらに大きな結晶粒を成長させる方法を採用した。結晶の横方向成長ではなく、小さな結晶粒を融着させて大きな結晶粒を作ることにより、結晶粒界における突起の生成を抑制でき、表面の凹凸が少なくかつ結晶粒径の大きな高品質な結晶性半導体を形成できる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、複数の信号配線と、該複数の信号配線に交差するように形成されたゲート配線と、前記信号配線と前記ゲート配線の交差点近傍に形成された複数の半導体素子と、該複数の半導体素子に接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記半導体素子を構成する半導体膜は、水素を含有する非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記水素を含有する非晶質半導体膜に、第1のエネルギー密度を有するエネルギービームを照射する第2の工程と、前記半導体膜に、前記第1のエネルギー密度より大きい第2のエネルギー密度を有するエネルギービームを照射する第3の工程と、前記半導体膜に、前記第2のエネルギー密度より大きい第3のエネルギー密度を有するエネルギービームを照射する第4の工程と、を有する液晶表示装置の製造方法。

IPC (6)：

G02F 1/1365 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G