太陽電池およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999212287
Publication number (International publication number)：2001044463
Application date： Jul. 27, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】裏面反射を有効に使える太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池の光入射側48から見て、p-型Si層25とn+型Si層24の順に配列して半導体層を積層する。半導体層24、25の裏面に、n+型Si層24を超えp-型Si層25をもえぐる凹部(スクライブライン)45があり、前記凹部45のなかにp+型Si層26を介して正電極32が埋め込まれている。また、SUS基板などで構成される負電極27が絶縁領域43を介して正電極32を覆い、負電極27がn+型Si層24と接している。正電極26が光反射性材料で構成される。また、負電極27も光反射性材料で構成され、半導体層24、25の全体を覆っている。

Claim (excerpt)：

半導体層に接した正電極と負電極とを有し、前記正電極と前記負電極とが前記半導体層の光入射面と反対側の面にある太陽電池において、前記半導体層の裏面に凹部があり、前記凹部のなかに前記正電極と前記負電極のうち一方の電極があり、前記半導体層の平面の法線方向から見て、他方の電極が前記一方の電極と重なる位置にあることを特徴とする太陽電池。

FI (3)：

H01L 31/04 H , H01L 31/04 A , H01L 31/04 F

F-Term (15)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051BA14 , 5F051BA15 , 5F051CB11 , 5F051CB12 , 5F051CB27 , 5F051CB30 , 5F051DA03 , 5F051DA04 , 5F051FA06 , 5F051GA04 , 5F051GA14 , 5F051GA20 , 5F051HA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-326559 Applicant：三菱電機株式会社
特開平2-278739
特開平2-185021

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