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J-GLOBAL ID：200903033894457342

スピロフルオレン誘導体、発光素子用材料、発光素子、発光装置及び電子機器

Inventor： 川上 祥子 ,  中島 晴恵
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006265047
Publication number (International publication number)：2007119457
Application date： Sep. 28, 2006
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】高いTg及び広いエネルギーギャップを有する材料を提供することを課題とする。【解決手段】下記一般式(1)で表されるスピロフルオレン誘導体(但し、式中R1は水素、炭素数1〜4のアルキル基又は下記構造式(2)で表される基のいずれかを表す。R2、R3は水素又は炭素数1〜4のアルキル基のいずれかを表し、それぞれ同一でも異なっていても良い。R4は炭素数6〜15のアリール基を表す。R5、R6は水素、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数6〜15のアリール基のいずれかを表し、それぞれ同一でも異なっていても良い。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるスピロフルオレン誘導体。 (但し、式中R1は水素、炭素数1〜4のアルキル基又は下記構造式(2)で表される基のいずれかを表す。R2、R3は水素又は炭素数1〜4のアルキル基のいずれかを表し、それぞれ同一でも異なっていても良い。R4は炭素数6〜15のアリール基を表す。R5、R6は水素、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数6〜15のアリール基のいずれかを表し、それぞれ同一でも異なっていても良い。)

IPC (5)：

C07C 211/61 ,  H01L 51/50 ,  C09K 11/06 ,  C07D 209/86 ,  C07D 209/88

FI (6)：

C07C211/61 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 D ,  C09K11/06 690 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88

F-Term (19)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC14 ,  3K107CC24 ,  3K107DD71 ,  3K107DD73 ,  3K107DD78 ,  4C204BB05 ,  4C204CB25 ,  4C204DB40 ,  4C204EB01 ,  4C204FB08 ,  4C204FB16 ,  4C204GB01 ,  4C204GB32 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92