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J-GLOBAL ID：200903033903850842

有害ガスの浄化方法

Inventor： 島田 孝 ,  畠山 俊哉
Applicant, Patent owner： 日本パイオニクス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995113838
Publication number (International publication number)：1996281063
Application date： Apr. 14, 1995
Publication date： Oct. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体製造工程などで使用され、排出されるガス中などに含まれる一酸化炭素または金属カルボニルを安全、かつ、効率よく除去する。【構成】 一酸化炭素および/または金属カルボニルを含有するガスを、酸化銅(II)および酸化マンガン(IV)を主成分とする金属酸化物にパラジウム塩を添着させた浄化剤と接触させる。

Claim (excerpt)：

有害成分として一酸化炭素および/または金属カルボニルを含有するガスを、酸化銅(II)および酸化マンガン(IV)を主成分とする金属酸化物にパラジウム塩を添着せしめてなる浄化剤と接触させ、該ガスから有害成分を除去することを特徴とする有害ガスの浄化方法。

IPC (6)：

B01D 53/62 ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/46 ,  B01D 53/86 ZAB ,  B01J 20/06 ,  B01J 23/89

FI (6)：

B01D 53/34 135 A ,  B01J 20/06 A ,  B01J 23/89 A ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/34 120 A ,  B01D 53/36 ZAB Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-028823
  
• 特開平2-144125