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J-GLOBAL ID：200903033905760433

光半導体装置

Inventor： 西森 修次 ,  嶋田 克実 ,  原田 忠昭
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991325186
Publication number (International publication number)：1993136300
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高温および長時間放置の条件下においても光透過性に優れている光半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止する。(A)エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)硬化促進剤。(D)下記の一般式(1)で表される有機化合物および下記の一般式(2)で表される有機リン化合物の少なくとも一方。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)硬化促進剤。(D)下記の一般式(1)で表される有機化合物および下記の一般式(2)で表される有機リン化合物の少なくとも一方。【化1】【化2】

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 5/13 NKZ ,  C08K 5/524 NLB ,  C08L 63/00

FI (2)：

H01L 23/30 F ,  H01L 23/30 R