Pat

J-GLOBAL ID：200903033913520301

メモリセルのしきい値電圧制御方法及び半導体記憶装置

Inventor： 鈴木 浩二
Applicant, Patent owner： 株式会社 沖マイクロデザイン ,  沖電気工業株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998240464
Publication number (International publication number)：2000076873
Application date： Aug. 26, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 メモリセルのしきい値電圧のばらつきを低減することの可能なメモリセルのしきい値電圧制御方法及び半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルのしきい値電圧制御方法は,メモリセルのしきい値電圧に応じた基準電流を設定する設定工程と,データ書き込み時にメモリセルに流れる電流と基準電流とを比較する比較工程と,比較工程の結果に応じて,メモリセルへの書き込みを中止する書き込み中止工程とを含むことを特徴とする。かかる制御方法によれば,書き込み中のメモリセルに流れる電流と,基準メモリセルに流れる電流とを比較し,その比較結果により書き込みを中止させる手段を設けたことにより,メモリセルのしきい値電圧を任意の値に近づけることができ,メモリセルのしきい値電圧のばらつきを従来より低減することが可能である。

Claim (excerpt)：

メモリセルのしきい値電圧制御方法において:メモリセルのしきい値電圧に応じた基準電流を設定する設定工程と;データ書き込み時に前記メモリセルに流れる電流と前記基準電流とを比較する比較工程と;前記比較工程の結果に応じて,前記メモリセルへの書き込みを中止する書き込み中止工程と;を含むことを特徴とする,メモリセルのしきい値電圧制御方法。

IPC (2)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (2)：

G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 634 F

F-Term (5)：

5B025AA03 ,  5B025AB02 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AE08