Pat
J-GLOBAL ID：200903033919619482
薄膜形成装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993255696
Publication number (International publication number)：1995113169
Application date： Oct. 13, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 きわめて高いアスペクト比の微細コンタクトホールの底部に配線膜の穴埋めを行うことができるようにする。【構成】 蒸発源21を蒸着粒子14が成膜用基板9へ指向性をもって噴出される構成とした。蒸着粒子14が成膜用基板9の成膜面と略直交する方向に沿って飛行して成膜用基板9に到達する。したがって、きわめて高いアスペクト比の微細コンタクトホールであっても、その底部に配線膜の穴埋めを行うことができる。
Claim (excerpt)：
蒸発源から放出された成膜用粒子をコリメータに通し、成膜用基板の成膜面に対して略直交する方向にのみ流す薄膜形成装置において、前記蒸発源を成膜用粒子が成膜用基板へ指向性をもって噴出される構成としたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
