Pat
J-GLOBAL ID：200903033921787465
高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996090203
Publication number (International publication number)：1996337616
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される1種又は2種以上の繰り返し単位を有し、重量平均分子量が3,000〜300,000であることを特徴とする高分子化合物。【化1】(但し、式中R1は水素原子又はメチル基、R2は水素原子又は酸不安定基で、少なくとも1つは水素原子、少なくとも1つは酸不安定基である。nは2又は3である。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂として使用した化学増幅ポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。従って、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、これらの特性より、特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成できるもので、超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される1種又は2種以上の繰り返し単位を有し、重量平均分子量が3,000〜300,000であることを特徴とする高分子化合物。【化1】(但し、式中R1は水素原子又はメチル基、R2は水素原子又は酸不安定基で、少なくとも1つは水素原子、少なくとも1つは酸不安定基である。nは2又は3である。)
IPC (5)：
C08F 12/22 MJY
, C08F220/06 MLQ
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
C08F 12/22 MJY
, C08F220/06 MLQ
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/30 502 R
