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J-GLOBAL ID：200903033922380903

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 須藤 元 ,  梶原 信之 ,  有永 健児 ,  藤原 康治 ,  中村 裕子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276083
Publication number (International publication number)：1994125108
Application date： Oct. 14, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置に関し、検知すべき赤外線の透過を妨げず、かつ機械的振動に対して耐振動性が大きく、効果的に画素分離が可能な赤外線検知装置、およびその製造方法の提供を目的とする。【構成】 Si基板4の素子形成領域に溝部12を設け、該溝部12内に化合物半導体層を埋設し、該埋設した化合物半導体層を素子形成用のHg1-x Cdx Te結晶2に変換して該Hg1-x Cdx Te結晶2に光検知素子8を設け、前記埋設したHg1-x Cdx Te結晶2に対向して前記Si基板4の裏面より前記Hg1-x Cdx Te結晶2に到達する凹部22を設けるとともに、該凹部22を設けたSi基板4の裏面側に反射防止膜13を設け、前記形成した溝部12以外のSi基板4を画素分離領域として構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(4) の素子形成領域に溝部(12)を設けて該溝部(12)内に化合物半導体層(18)を埋設し、該埋設した化合物半導体層(18)を素子形成用の化合物半導体結晶(2) に変換して該化合物半導体結晶(2) に光検知素子(8)を設け、前記埋設した化合物半導体結晶(2) に対向して前記半導体基板(4) の裏面より前記化合物半導体結晶(2) に到達する凹部(22)を設けるとともに、該凹部(22)を設けた半導体基板(4) の裏面側に反射防止膜(13)を設け、前記形成した溝部(12)以外の半導体基板(4) を画素分離領域としたことを特徴とする半導体装置。