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J-GLOBAL ID：200903033922590967

半導体製造用サセプタおよびその製造方法

Inventor： 北澤 謙治 ,  会田 比呂史 ,  三上 一彦
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299368
Publication number (International publication number)：1995153820
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【構成】窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなる基体2の表面を平面研磨した後に導電回路5を形成し、その後、導電性回路5の上部に気相法などにより窒化アルミニウム薄膜3を0.001〜1.0mmの厚みで形成して半導体製造用サセプタを得る。【効果】優れた耐プラズマ性を有し、半導体製造時に不純物の混入を抑制するとともに、シリコンウエハに対してサセプタ面で均一な吸着力を得ることができ、サセプタ内部に発熱回路を形成した場合もサセプタ内での温度のむらを少なくすることができるため、シリコンウエハを均一に保温することができる。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなる基体表面に導電性回路を形成し、さらにその上部に窒化アルミニウム薄膜を0. 001〜1. 0mmの厚みで形成したことを特徴とする半導体製造用サセプタ。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065