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J-GLOBAL ID：200903033932067405

少なくとも2つの半導体デバイスを有する電子的スイッチング装置

Inventor： ドーンケ、カール-オットー ,  ミットレーナー、ハインツ ,  シュテファニ、ディートリッヒ ,  ヴァイス、ベンノ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000572944
Publication number (International publication number)：2002526929
Application date： Sep. 14, 1999
Publication date： Aug. 20, 2002
Summary：

【要約】電子的スイッチング装置(300)は少なくとも1つの第1および第2の半導体デバイス(100、200)から成っており、その際に第1の陽極端子(A1)および第2の陰極端子(K2)は電気的に短絡されている。第1のゲート端子(G1)に与えられる制御電圧(UGK1)が少なくとも部分的に第2のゲート端子(G2)にも与えられる。それにより導通状態での電子的スイッチング装置(300)の導通抵抗が減少する。

Claim (excerpt)：

a)第1の陰極端子(K1)、第1の陽極端子(A1)およ び第1のゲート端子(G1)を有する第1の半導体デバイス(100)と、b)第2の陰極端子(K2)、第2の陽極端子(A2)および第2のゲート端子 (G2)を有する第2の半導体デバイス(200)とを少なくとも含み、c)第1の陽極端子(A1)と第2の陰極端子(K2)を電気的に短絡した 電子的スイッチング装置において、d)第1のゲート端子(G1)に与えられる制御電圧(UGK1)が部分的に第 2のゲート端子(G2)にも与えられており、e)第2の半導体デバイス(200)のゲート陰極間電圧(UGK2)が、第2の 半導体デバイス(200)内で第2のゲート端子(G2)と第2の陰極端子 (K2)との間に位置しているpn接合の拡散電圧よりも常に小さくなるよ うに、第2のゲート端子(G2)に与えられる制御電圧(UGK1)の部分の 大きさが選ばれていることを特徴とする電子的スイッチング装置。

IPC (6)：

H01L 21/337 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 656 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/808

FI (5)：

H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 656 Z ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/80 V

F-Term (9)：

5F102FA02 ,  5F102FB10 ,  5F102GA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GC05 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02