Pat
J-GLOBAL ID：200903033932085381
半導体ウエハの熱処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大井 正彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991188338
Publication number (International publication number)：1993013354
Application date： Jul. 03, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 シャッター機構などの手段が不要で構成が簡単な熱処理装置により熱処理を行うことができる半導体ウエハの熱処理方法を提供することにある。【構成】 熱処理用ウエハ保持具30に保持された複数の半導体ウエハを熱処理する半導体ウエハの熱処理方法であって、熱処理用ウエハ保持具を挿入するための開口が下側に設けられた、強制冷却機構を有する縦型加熱炉10と、上昇して縦型加熱炉の開口を塞ぐよう昇降可能に設けられた蓋体20と、ウエハ移載部40とを備えてなる熱処理装置を用い、加熱処理後、強制冷却機構により、熱処理用ウエハ保持具30の温度が 500°C以下となるまで縦型加熱炉内の強制冷却を行い、次いで、蓋体20を下降させて熱処理用ウエハ保持具30を縦型加熱炉10から搬出した後、熱処理用ウエハ保持具30をウエハ移載部40へ移動し、その後直ちに蓋体20を上昇させて縦型加熱炉10の開口を塞ぐ工程を含むことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
熱処理用ウエハ保持具に保持された複数の半導体ウエハを熱処理する半導体ウエハの熱処理方法であって、熱処理用ウエハ保持具を挿入するための開口が下側に設けられた、強制冷却機構を有する縦型加熱炉と、上昇して縦型加熱炉の開口を塞ぐよう昇降可能に設けられた蓋体と、熱処理用ウエハ保持具とウエハ収納容器との間で半導体ウエハを移載するウエハ移載部とを備えてなる熱処理装置を用い、下記の工程?@〜?Cを含むことを特徴とする半導体ウエハの熱処理方法。?@ 蓋体を下降させた後、この蓋体の上面に、複数の半導体ウエハが保持された熱処理用ウエハ保持具を載置する工程。?A 蓋体を上昇させて熱処理用ウエハ保持具を縦型加熱炉内に挿入し、蓋体によって縦型加熱炉の開口が塞がれた気密状態で半導体ウエハを加熱処理する工程。?B 強制冷却機構により、熱処理用ウエハ保持具の温度が 500°C以下となるまで縦型加熱炉内の強制冷却を行う工程。?C 蓋体を下降させて熱処理用ウエハ保持具を縦型加熱炉から搬出した後、熱処理用ウエハ保持具をウエハ移載部へ移動し、その後直ちに蓋体を上昇させて縦型加熱炉の開口を塞ぐ工程。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
