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J-GLOBAL ID：200903033964237191

低制御レベルのヒドロキシ置換基を含有するポリオルガノシロキサンの製造方法

Inventor： シドニー・アルビン・ハンセン ,  チヤールス・アービン・ニール、ジユニア
Applicant, Patent owner： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-シヨン
Agent (1)： ウオーレン・ジー・シミオール
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992127234
Publication number (International publication number)：1993140315
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ヒドロキシ置換基が低レベルのポリオルガノシロキサン重合体を製造する塩基触媒法の提供。【構成】 本法は、重合体鎖長を制御するトリオルガノシリル末端封鎖剤の存在下でヒドロキシ末端置換ポリオルガノシロキサンの縮合をさせる触媒としてルイス塩基を使用する。カチオン濃度が存在するケイ素原子に対して約1×10-3〜2×10-1モル%である塩基触媒濃度範囲内で、水の分圧を制御して再現性があると共に予測できるレベルのヒドロキシ置換基をもったポリオルガノシロキサン重合体を生成することができる。

Claim (excerpt)：

(A)次式をもった低分子量のポリオルガノシロキサン:および式R1 3 Si-をもつたトリオルガノシリル末端封鎖剤源の混合物と、ルイス塩基触媒を接触させる工程(但し、式中の各Xはそれぞれルイス塩基触媒およびヒドロキシル基のカチオンからなる基から選び;各Rはそれぞれ1〜6個の炭素原子をもった一価の炭化水素基と1,1,1-トリフルオロプロピル基からなる群から選び;各R1はそれぞれ1〜6個の炭素原子をもった炭化水素基と1,1,1-トリフルオロプロピル基からなる群から選び;aは1〜約2000の平均値である);(B)プロセスにおける水の分圧を0〜1,000mmHgの範囲内の値に制御する工程;(C)接触された混合物とルイス塩基触媒の温度を-40°C〜300°Cの範囲内の値に制御する工程;(D)次式(式中のRは前に定義したもの;R2はR1とヒドロキシルからなる群から選び;bはa〜約2,000の範囲内の平均値である)をもった生成物のポリオルガノシロキサンを回収する工程から成ることを特徴とする、低制御レベルのヒドロキシ置換基を含有するポリオルガノシロキサンの製造方法。

IPC (2)：

C08G 77/06 NUD ,  C08G 77/16 NUG