Pat

J-GLOBAL ID：200903033971221233

発光ダイオード

Inventor： 金田 直樹 ,  柴田 真佐知 ,  今野 泰一郎
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999288417
Publication number (International publication number)：2001111105
Application date： Oct. 08, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光取出効率が高くて発光出力が大きく、しかも製作が容易で低価格な発光ダイオードを提供することを目的とする。【解決手段】 n型導電性のGaAs基板2上に、有機金属化合物気相成長法によりエピタキシャル成長にてAlGaInPからなる発光部5とその発光部5上にウインドウ層7を形成して構成される発光ダイオード1において、発光部5の発光に対し透明な層4を、厚さ1.5μm以上で、かつ、発光部5よりもGaAs基板2側に位置して形成することで解決している。

Claim (excerpt)：

n型導電性のGaAs基板上に、有機金属化合物気相成長法によりエピタキシャル成長にてAlGaInPからなる発光部とその発光部上にウインドウ層を形成して構成される発光ダイオードにおいて、発光部の発光に対し透明な層を、厚さ1.5μm以上で、かつ、発光部よりもGaAs基板側に位置して形成することを特徴とする発光ダイオード。

F-Term (7)：

5F041AA04 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041FF01