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J-GLOBAL ID：200903033971815370

二安定ダイオード

Inventor： 田村 泰孝
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992156326
Publication number (International publication number)：1993347422
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 二安定ダイオードに関し、メモリ作用を有し、電流のon,off比率が大きい二安定ダイオードを提供する。【構成】 第1の導電性電極(1)と第2の導電性電極(4)の間に挟まれた2層以上の誘電体層(2),(3)を有し、この2層以上の誘電体層(2),(3)のうち少なくとも1層を強誘電体層(3)にする。この場合、第1の導電性電極(1)と第2の導電性電極(4)のうちの少なくとも一方の導電性電極と誘電体層(2),(3)の界面に、キャリアの移動を阻止するバリアを存在させることができ、また、第1の導電性電極(1)と第2の導電性電極(4)のうちの少なくとも一方の導電性電極を超伝導性を示す金属あるいは酸化物材料で構成し、また、透明電極とすることができる。

Claim (excerpt)：

第1の導電性電極と、第2の導電性電極と、該第1の導電性電極と第2の導電性電極の間に挟まれた2層以上の誘電体層を有し、該2層以上の誘電体層のうち少なくとも一層が強誘電体層であることを特徴とする二安定ダイオード。

IPC (3)：

H01L 29/88 ,  G11C 13/00 ,  H01L 49/02