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J-GLOBAL ID：200903033979371420

パターン形成方法

Inventor： 眞野 三千雄 ,  元吉 真
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995087614
Publication number (International publication number)：1996264512
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 フォトリソグラフィにおける光学的な解像度の限界よりも微細なパターンを形成する。【構成】 膜32、33上で膜34をパターニングし、更にフォトレジスト36をパターニングする。そして、膜34とフォトレジスト36とをマスクにして膜33をパターニングし、この膜33をマスクにして膜32をパターニングすると同時に膜34を除去する。このため、合わせ精度の限界まで膜34とフォトレジスト36との間隔を微細化することができて、フォトリソグラフィにおける光学的な解像度の限界よりも微細なパターンを形成することができる。

Claim (excerpt)：

順次に積層させた第1及び第2の膜上に、第1のパターンを有する第3の膜を形成する工程と、第2のパターンを有するマスク層と前記第3の膜とをマスクにして前記第2の膜をパターニングする工程と、パターニングした前記第2の膜をマスクにして前記第1の膜をパターニングすると同時に前記第3の膜を除去する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (2)：

H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 381