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J-GLOBAL ID：200903033986603981

化学増幅型ポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： 有島 真史 ,  上杉 隆彦
Applicant, Patent owner： 東洋インキ製造株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001375158
Publication number (International publication number)：2003177518
Application date： Dec. 10, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、エネルギー線に対する感度が高く、高温のポスト露光ベーク工程を含むパターン形成工程においても、露光後加熱処理までの経時でレジストパターンの細りが生じたり、レジストパターン表面の形状がT型を呈することのない化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法およびパターンを提供することである。【解決手段】オニウムカチオンと、下記一般式(1)のボレートアニオンとから構成される酸発生剤(A)、酸不安定基を有する高分子(B)、および有機溶剤(C)を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物。一般式(1)[BYmZn]-(ただし、Yはフッ素または塩素、Zはフッ素、シアノ基、ニトロ基、および、トリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも2個の電子吸引性基で置換されたフェニル基、mは0〜3の整数、nは1〜4の整数を表し、m+n=4である。)

Claim (excerpt)：

オニウムカチオンと、下記一般式(1)のボレートアニオンとから構成される酸発生剤(A)、酸不安定基を有する高分子(B)、および有機溶剤(C)を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物。一般式(1)[BYmZn]-(ただし、Yはフッ素または塩素、Zはフッ素、シアノ基、ニトロ基、および、トリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも2個の電子吸引性基で置換されたフェニル基、mは0〜3の整数、nは1〜4の整数を表し、m+n=4である。)

IPC (6)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C07C381/12 ,  C07F 5/02

FI (6)：

G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  C07C381/12 ,  C07F 5/02 A ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (27)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA03 ,  4H006AB81 ,  4H048AA03 ,  4H048AB81 ,  4H048VA11 ,  4H048VA75 ,  4H048VB10 ,  4H048VB90