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J-GLOBAL ID：200903033992709910

集積装置を製造するための半導体材料のウェハ、およびその製造方法

Inventor： ブルーノ・ムラーリ ,  フラーヴィオ・ヴィッラ ,  ウバルド・マストロマッテオ
Applicant, Patent owner： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.
Agent (1)： 筒井 大和 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995327021
Publication number (International publication number)：1997027604
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 SOI技術において熱伝導率を改善する。【構成】 集積装置を製造するための半導体材料のウェハ20であって、炭化珪素、窒化珪素及びセラミック材料からなるグループから選択された材料でできた中間絶縁層22により分離された第1及び第2の単結晶シリコン層21、24を含んだ重ね合わされた層の積み重ねからなる。酸化物接着層23が、絶縁層22と第2のシリコン層24との間に設けられる。ウェハ20は、加熱された真空チャンバにて、第1のシリコン層21上に絶縁層22を形成し、酸化物層を成長させ、第2のシリコン層24を重ね合わせて製造される。シリコン、絶縁材料、酸化物及びシリコン層の積み重ねが、熱処理されて酸化物が反応し、絶縁層22を第2のシリコン層24に接着させる。セラミック材料として、酸化ベリリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素及びアルミナを使用できる。

Claim (excerpt)：

重ね合わされた層の積み重ねを有する集積装置を製造するための半導体材料のウェハであって、該ウェハは、第1のシリコン層と、第2のシリコン層と、前記第1のシリコン層および前記第2のシリコン層を分離する中間の絶縁層とを有し、前記絶縁層は、炭化珪素、窒化珪素およびセラミック材料からなるグループから選択された材料でできていることを特徴とする集積装置を製造するための半導体材料のウェハ。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/00 301

FI (4)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/00 301 B