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J-GLOBAL ID：200903034022789861

高分子薄膜、パターン基板の製造方法、パターン転写体、及び磁気記録用パターン媒体

Inventor：
長谷川 博一

About 長谷川 博一

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竹中 幹人

About 竹中 幹人

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吉田 博史

About 吉田 博史


Applicant, Patent owner：
国立大学法人京都大学

About 国立大学法人京都大学

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株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005334979
Publication number (International publication number)：2007138052
Application date： Nov. 18, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：
【課題】高分子ブロック共重合体のミクロ相分離現象を用いて、柱状ミクロドメインが、膜の貫通方向に配向するとともに規則配列パターンを有する高分子薄膜を提供することを課題にする。【解決手段】第1モノマー(11)の重合体を主成分にする連続相(10)と、第2モノマー(21)の重合体を主成分にし連続相(10)中に分布するとともに膜の貫通方向に配向している柱状ミクロドメイン(20)と、を備える高分子薄膜(30)において、第1モノマー(11)が重合してなる第1セグメント(12)、及び前記第2モノマー(21)が重合してなる第2セグメント(22)を少なくとも有する高分子ブロック共重合体(31)と、第1セグメントに相溶する高分子重合体(13)と、が配合されてなることを手段とする。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
第1モノマーの重合体を主成分にする連続相と、 第2モノマーの重合体を主成分にし、前記連続相中に分布するとともに膜の貫通方向に配向している柱状ミクロドメインと、を備える高分子薄膜において、 前記第1モノマーが重合してなる第1セグメント、及び前記第2モノマーが重合してなる第2セグメントを少なくとも有する高分子ブロック共重合体と、 前記第1セグメントに相溶する高分子重合体と、が配合されてなることを特徴とする高分子薄膜。
IPC (4)：
C08L 101/00 ,  C08L 53/00 ,  C08J 5/18 ,  G11B 5/84
FI (4)：
C08L101/00 ,  C08L53/00 ,  C08J5/18 ,  G11B5/84 Z
F-Term (30)：
4F071AA22 ,  4F071AA22X ,  4F071AA33 ,  4F071AA33X ,  4F071AA75 ,  4F071AG36 ,  4F071AH14 ,  4F071BA02 ,  4F071BB02 ,  4F071BC02 ,  4J002AB02X ,  4J002AC07X ,  4J002BC03X ,  4J002BC05X ,  4J002BC06X ,  4J002BC09X ,  4J002BD10X ,  4J002BD13X ,  4J002BG06X ,  4J002BP03W ,  4J002CH01X ,  4J002CH07X ,  4J002CP03X ,  4J002GS00 ,  5D112AA02 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112BA03 ,  5D112BA10 ,  5D112FA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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