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J-GLOBAL ID：200903034026511159

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子

Inventor： 山田 孝夫 ,  向井 孝志 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994022671
Publication number (International publication number)：1995235729
Application date： Feb. 21, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレーザダイオードチップをレーザ素子として使用するにあたり、チップの放熱効率を向上させ、常温で連続発振可能なレーザ素子を提供する。【構成】 サファイア基板1上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層2よりなるレーザダイオードチップは、同一面側に正電極4と、負電極3が形成されており、一方絶縁性のヒートシンク20は同一面側に正電極44と負電極33とがメタライズされており、それらの電極同士が対向するようにレーザーダイオードチップ10がヒートシンク20上に載置されて接続されている。

Claim (excerpt)：

サファイア基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の同一面側に正、負一対の電極が形成されてなるレーザダイオードチップが、同じく同一面側に正、負一対の電極パターンがメタライズされた絶縁性のヒートシンクに、互いの電極同士が対向するように載置されてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-237179
  
• 特開平3-192786
  
• 特開平4-242985
  
• 特開昭59-228776