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J-GLOBAL ID：200903034052558708

ポジ型パタン形成方法

Inventor： 土屋 裕子 ,  白石 洋 ,  福田 宏 ,  寺澤 恒男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994319784
Publication number (International publication number)：1996181132
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【構成】 芳香環を含む置換基(Rn)及び酸素原子がシリコン原子と結合している構造を単位とする高分子化合物を実質的に主成分として含むレジスト膜に、活性化学線を照射して前記照射した部分のレジスト膜を揮発させてパタンを形成する。【効果】 短波長の活性化学線を用いた場合に、優れたドライエッチング耐性を持つパタンを形成できる。

Claim (excerpt)：

芳香環を含む置換基及び酸素原子がシリコン原子と結合している構造を単位とする高分子化合物を実質的に主成分として含むレジスト膜を基体上に形成する工程と、活性化学線を前記レジスト膜に照射することによって、前記照射した部分のレジスト膜を揮発させる工程とを有することを特徴とするポジ型パタン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/3065