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J-GLOBAL ID：200903034053641188
非晶質シリコン膜の製造方法、非晶質窒化シリコン膜の製造方法、微結晶シリコン膜の製造方法、及び非単結晶半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992100219
Publication number (International publication number)：1993275346
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 a-Si膜等の非単結晶膜の大面積化に対応し、且つ、膜特性を改善して高速成膜を作成可能とし、デバイス特性を左右する界面特性を向上させる。【構成】 高周波放電を利用したプラズマCVD法による非晶質シリコン膜の製造方法において、少なくとも、珪素化合物ガスを原料ガスとして、成膜圧力P(Torr)を0.25Torr以上2.5Torr以下に設定し、高周波電源の周波数f(MHz)を30MHz以上120MHz以下に設定し、投入電力PW(W/cm2 )を10/f(MHz)で規定される値以下とし、電極間距離d(cm)をf/30で規定される値より大きい値とした。
Claim (excerpt)：
高周波放電を利用したプラズマCVD法による非晶質シリコン膜の製造方法において、少なくとも、珪素化合物ガスを原料ガスとして、成膜圧力P(Torr)を0.25Torr以上2.5Torr以下に設定し、高周波電源の周波数f(MHz)を30MHz以上120MHz以下に設定し、投入電力PW (W/cm2 )を10/f(MHz)で規定される値以下とし、電極間距離d(cm)をf/30で規定される値より大きい値としたことを特徴とする非晶質シリコン膜の製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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