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J-GLOBAL ID：200903034060393130
シリコンによる2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007158101
Publication number (International publication number)：2008311449
Application date： Jun. 15, 2007
Publication date： Dec. 25, 2008
Summary：
【課題】加工手法が多様で電極自身の電気特性などを非常に精密に制御する事ができるシリコンを用いて、2端子で動作する抵抗スイッチ素子及び半導体デバイスを提供する。【解決手段】不純物がドープされたシリコン膜をナノスケールの間隙幅をもって2個配置したことを特徴とする2端子抵抗スイッチ素子。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
不純物がドープされたシリコン膜をナノスケールの間隙幅をもって2個配置したことを特徴とする2端子抵抗スイッチ素子。
IPC (4)：
H01L 29/66
, H01L 49/00
, H01L 45/00
, H01L 29/06
H01L29/66 C
, H01L49/00 Z
, H01L45/00 Z
, H01L29/06 601N
