Pat

J-GLOBAL ID：200903034063225654

半導体装置の製造方法

Inventor： 大槻 悦理
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337537
Publication number (International publication number)：1995201974
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 MOSFETを含む半導体装置の製造方法に関し、チャネルストップ領域と閾値電圧制御領域を同一のイオン注入工程によって作成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板の素子形成領域上に耐酸化性膜を形成する工程と、前記半導体基板の前記耐酸化性膜によって覆われていない領域を選択的に酸化して分離用酸化膜を形成する工程と、前記分離用酸化膜および前記耐酸化性膜を通して前記半導体基板に不純物を注入し、前記素子形成領域表面に閾値電圧制御領域を、前記分離用酸化膜下にチャネルストップ領域を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板の素子形成領域上に耐酸化性膜を形成する工程と、前記半導体基板の前記耐酸化性膜によって覆われていない領域を選択的に酸化して分離用酸化膜を形成する工程と、前記分離用酸化膜および前記耐酸化性膜を通して前記半導体基板に不純物を注入し、前記素子形成領域表面に閾値電圧制御領域を、前記分離用酸化膜下にチャネルストップ領域を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/76 S ,  H01L 21/265 H ,  H01L 29/78 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコン基板上にフィールド酸化物領域及びチャネル・ストップを形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-329838   Applicant：インテル・コーポレーション
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-088638   Applicant：シャープ株式会社