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J-GLOBAL ID：200903034076021233
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994061686
Publication number (International publication number)：1995273195
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】太い(大面積)金属配線上の層間膜の膜厚を制御し、スルーホールの垂直段が場所によって変わらないようにする半導体装置を提供することにある。【構成】第一の金属配線11の幅広部1に、しかもスルーホール14の近傍にスリット12を形成する。このため、スリット12上の層間絶縁膜の一部にシリカ(17)を溜めることになるので、第一の金属配線11は幅広部1であれ、幅狭部2であれ、層間膜の平坦化に用いるシリカ(17)の溜り具合を均一にできる。これにより、シリカのエッチバック後の層間絶縁膜の厚さを一定にし、スルーホール14の垂直段が場所によって変わらなくなるので、スルーホール14を覆う第二の金属配線13のカバーレッジを一定にする。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一主面上に多層配線構造を形成し、層間膜の平坦性をシリカにより実現する半導体装置において、幅広部および幅狭部を備えるとともに、前記幅広部に且つスルーホールが形成される位置の近傍にスリットを形成した第一の金属配線と、前記第一の金属配線上に被膜されて前記スルーホールを形成される一方、前記第一の金属配線の前記スリット上の一部をシリカにより平坦化される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に被着され前記層間絶縁膜の前記スルーホールを介して前記第一の金属配線に接続される第二の金属配線と、前記第二の金属配線の上に被膜されるパッシベーション膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
H01L 21/90 B
, H01L 21/302 L
, H01L 21/88 K
, H01L 21/90 W
