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J-GLOBAL ID：200903034080625550

メモリ-素子

Inventor： 小島 英嗣
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991183605
Publication number (International publication number)：1993006653
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】電圧印加の有無の情報と、電圧印加方向の情報とを記憶し、読み出すことができるメモリ-素子を提供することを目的とする。【構成】強誘電体層11と、その両側に設けられた一対の第1導電型の半導体5,10と、これら第1導電型の半導体の強誘電体層側と反対側に絶縁層3,8を介して設けられた一対の電極4,9と、各第1導電型の半導体5,10を挟むように、強誘電体層11の上に設けられた2対の第2導電型の半導体1,2,6,7とを有するメモリ-素子。

Claim (excerpt)：

強誘電体層と、その両側に設けられた一対の第1導電型の半導体と、これら第1導電型の半導体の強誘電体層側と反対側に絶縁層を介して設けられた一対の電極と、前記各第1導電型の半導体を挟むように、前記強誘電体層の上に設けられた2対の第2導電型の半導体とを有することを特徴とするメモリ-素子。

IPC (2)：

G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451