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J-GLOBAL ID：200903034081112409

レジスト組成物の評価方法

Inventor： 平山 拓 ,  羽田 英夫 ,  藤村 悟史 ,  岩井 武 ,  佐藤 充 ,  高須 亮一 ,  立川 俊和 ,  岩下 淳 ,  石塚 啓太 ,  山田 知孝 ,  高山 寿一 ,  吉田 正昭
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005151253
Publication number (International publication number)：2005309457
Application date： May. 24, 2005
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】イマージョンリソグラフィー工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物の評価方法を提供することを課題とする。【解決手段】 浸漬露光工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるポジ型レジスト組成物として好適か否かを評価する評価方法であり、波長193nm光源を用いた通常露光リソグラフィー工程により130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX1;通常露光リソグラフィー工程に、選択的露光と露光後加熱(PEB)の間に浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程を加えた模擬的浸漬リソグラフィー工程により同130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX2とし;[(X2/X1)-1]×100の絶対値が8.0以下である場合には好適であると判断するレジスト組成物の評価方法。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるポジ型レジスト組成物として好適か否かを評価する評価方法であって、 波長193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程により130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX1とし、 他方、同193nmの光源を用いた通常露光のリソグラフィー工程において、選択的露光と露光後加熱(PEB)の間に上記浸漬露光の溶媒をレジスト膜と接触させる工程を加えた模擬的浸漬リソグラフィー工程により同130nmのラインアンドスペースが1対1となるレジストパターンを形成したときの感度をX2としたとき、 [(X2/X1)-1]×100の絶対値が8.0以下である場合には好適であると判断することを特徴とするレジスト組成物の評価方法。

IPC (4)：

G03F7/26 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (5)：

G03F7/26 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 515D

F-Term (23)：

2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096EA18 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096LA17 ,  5F046BA03 ,  5F046DA27 ,  5F046DD06