Pat

J-GLOBAL ID：200903034084876060

半導体記憶装置

Inventor： 田中 和彦 ,  川口 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992193645
Publication number (International publication number)：1994036550
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、データの集合体に対するアクセス速度を低下させることなく、半導体記憶装置の低価格化または小型化を実現することを目的としている。【構成】データの集合体の先頭部分のデータを単独のデータアクセスを高速に実行することが可能な第1の半導体記憶装置20に格納し、それ以外のデータを単独のデータアクセスは低速であるが、連続したデータアクセスを高速に実行することが可能な第2の半導体記憶装置30に格納する構造とする。

Claim (excerpt)：

複数のデータから構成されるデータの集合体に対してアクセスを行うことを目的とする半導体記憶装置において、データの集合体の先頭部分のデータを格納する、単独のデータアクセスを高速に実行可能な第1の半導体記憶装置と、先頭以外の部分のデータを格納する、単独のデータアクセスは低速であるが、連続したデータアクセスを高速に実行可能な第2の半導体記憶装置とで構成することを特徴とした半導体記憶装置。