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J-GLOBAL ID：200903034086538293
ガスクラスターイオンビームによる 薄膜形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068445
Publication number (International publication number)：1996127867
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： May. 21, 1996
Summary：
【要約】【構成】 常温および常圧で気体状の反応性物質の塊状原子集団または分子集団であるクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し基板表面に照射して反応させる。【効果】 室温においても、極めて平滑な界面を有する極薄の反応性薄膜を基板損傷無しに高品質で形成することが可能となる。
Claim (excerpt)：
常温および常圧で気体状の反応性物質の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターのイオンを基板表面に照射して反応させ、基板表面に薄膜を形成することを特徴とするガスクラスターイオンビームによる薄膜形成方法。
IPC (5)：
C23C 14/32
, H01L 21/31
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/203
