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J-GLOBAL ID：200903034097729856

半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： 原田 裕二
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 村山 光威
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998320834
Publication number (International publication number)：2000150679
Application date： Nov. 11, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 浮遊ゲート電極と制御ゲート電極間の絶縁膜の信頼性の低下、あるいはメモリーセルサイズを増大することなしに、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極間の容量を増大させる。【解決手段】 浮遊ゲート電極4のゲート長手方向における断面形状が凹型形状になるように浮遊ゲート電極4上に溝4aを形成して、浮遊ゲート電極4-制御ゲート電極6間の表面積を大きくすることにより、浮遊ゲート電極4と制御ゲート電極6間のカプリング容量を増大させる。

Claim (excerpt)：

浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極に対して設けられる制御ゲート電極などからなる多層電極構造の半導体記憶装置において、前記浮遊ゲート電極に当該浮遊ゲート幅方向に延在する溝を形成したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

F-Term (19)：

5F001AA06 ,  5F001AA30 ,  5F001AB02 ,  5F001AB08 ,  5F001AB09 ,  5F001AD12 ,  5F001AD33 ,  5F001AF10 ,  5F001AG21 ,  5F083EP02 ,  5F083EP03 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP53 ,  5F083EP55 ,  5F083GA09 ,  5F083GA22 ,  5F083JA04 ,  5F083PR21