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J-GLOBAL ID：200903034109094835

超伝導トランジスタ

Inventor： 波頭 経裕
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344896
Publication number (International publication number)：1994196766
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は超伝導トランジスタに関し、エミッタ及びコレクタを超伝導体で構成し、ベースを常伝導体金属で構成することにより、直流電源で動作が可能であり低消費電力で所望の信号増幅作用を得ることのできる超電導トランジスタを実現することを目的とする。【構成】 常伝導体金属からなるベース層(2)と、超伝導体からなりベース層にホットエレクトロンを注入するエミッタ層(1)と、超伝導体からなりベース層からの電子を補足するコレクタ層(3)と、ベース層とエミッタ層との間に設けられ絶縁体からなる第1のトンネルバリア層(4)と、ベース層とエミッタ層との間に設けられ絶縁体からなる第2のトンネルバリア層(5)とから構成する。

Claim (excerpt)：

常伝導体金属からなるベース層(2)と、超伝導体からなり該ベース層にホットエレクトロンを注入するエミッタ層(1)と、超伝導体からなり該ベース層からの電子を補足するコレクタ層(3)と、該ベース層と該エミッタ層との間に設けられ絶縁体からなる第1のトンネルバリア層(4)と、該ベース層と該エミッタ層との間に設けられ絶縁体からなる第2のトンネルバリア層(5)とを有することを特徴とする超伝導トランジスタ。