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J-GLOBAL ID：200903034110936661

有機質基材表面への金属膜形成方法

Inventor： 楠村 浩一 ,  林 隆夫
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217106
Publication number (International publication number)：1997059763
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】 有機質基材の表面に凹凸を形成したり、所望の金属膜以外の材料をプリコートしたりすることなく、平滑な有機質基材の表面に気相成長法によって、金属膜を十分に密着力高く形成することのできる有機質基材表面への金属膜形成方法を提供。【構成】 有機質基材表面に結合を活性化させる波長の光の照射処理またはプラズマ処理を行う活性化処理を施し、以下の一般式X-Si-(OR)3 (ただし、Xは硫黄原子を含む有機反応基を示し、Rは-CH3 または-CH2 -CH3を示している。)で示される硫黄原子含有シランカップリング剤によるカップリング処理を行った後、この有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成する。

Claim (excerpt)：

有機質基材表面に結合を活性化させる波長の光の照射処理またはプラズマ処理を行う活性化処理を施し、一般式X-Si-(OR)3 (ただし、Xは硫黄原子を含む有機反応基であり、Rは-CH3 または-CH2 -CH3 である。)で示される硫黄原子含有シランカップリング剤によるカップリング処理を行った後、この有機質基材表面に気相成長法によって金属膜を形成することを特徴とする有機質基材表面への金属膜形成方法。