Pat

J-GLOBAL ID：200903034111150912

半導体装置の解析方法と解析装置

Inventor： 小柴 恵一
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993025055
Publication number (International publication number)：1994244256
Application date： Feb. 15, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の特定箇所の断面を簡単に、しかも正確に得ることができるようにする。【構成】半導体装置31の断面を観察したい所定箇所を除いて、半導体装置31の基板11のへき開面に沿って、エネルギービームを照射して半導体装置31表面に損傷層13を形成する工程と、半導体装置31表面が凸形になる方向に基板11に力を加え、損傷層13を端面の一部に含む2つの部分に基板11を分割する工程とを含むものである。

Claim (excerpt)：

半導体装置の断面を観察したい所定箇所を除いて、前記半導体装置の基板のへき開面に沿って、エネルギービームを照射して前記半導体装置表面に損傷層を形成する工程と、前記半導体装置表面が凸形になる方向に前記基板に力を加え、前記損傷層を端面の一部に含む2つの部分に前記基板を分割する工程とを含む半導体装置の解析方法。