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J-GLOBAL ID：200903034113591355

ポリエチレン系成形体および容器

Inventor：
岩政 健司

About 岩政 健司

, 
根本 美喜夫

About 根本 美喜夫

, 
鳥海 道生

About 鳥海 道生


Applicant, Patent owner：
三井化学株式会社

About 三井化学株式会社


Agent (1)： 柳原 成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000402924
Publication number (International publication number)：2002201292
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 スクラップを再生使用した成形体において高温で成形した場合であっても強度を高く維持できるポリエチレン系成形体を提供する。【解決手段】 再生材層(D2)および/または基層(A2)が、ASTM D1238(190°C:2160g)におけるメルトフローレート(MFR)が0.001〜0.5g/10分、密度が0.930〜0.980g/cm3の変性ポリエチレン樹脂(g1)および酸性化合物もしくは分解することによって酸性化合物となる化合物(g2)からなる群より選ばれる少なくとも一種の添加物(G)を含有するポリエチレン系成形体である。
Claim (excerpt)：
次の層(A1)〜(D1);(A1)ASTM D1238(190°C:2160g)におけるメルトフローレート(MFR)が0.001〜0.5g/10分、密度が0.930〜0.980g/cm3のポリエチレン樹脂(a1)を含む基材樹脂層、(B1)不飽和カルボン酸もしくはその誘導体でグラフト変性された密度が0.900〜0.975g/cm3の変性ポリエチレン樹脂(b1)を含む接着樹脂層、(C1)エチレン・ビニルアルコール共重合体(c1)を含むバリヤー樹脂層、および(D1)再生樹脂(d1)から成る再生樹脂層を含有する積層体(E)を粉砕し再生材(d2)として使用した再生材層(D2)からなる単層構造のポリエチレン系成形体であって、再生材層(D2)が次の化合物(g1)〜(g2);(g1)不飽和カルボン酸もしくはその誘導体でグラフト変性された密度が0.900〜0.975g/cm3の変性ポリエチレン樹脂、および(g2)酸性化合物もしくは分解することによって酸性化合物となる化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の添加物(G)を含有するポリエチレン系成形体。
IPC (9)：
C08J 5/00 CES ,  B29B 17/00 ,  B32B 27/20 ,  B32B 27/32 ,  B65D 1/09 BRK ,  B65D 1/09 BSG ,  B65D 1/09 BSN ,  C08L 23/04 ZAB ,  C08L 51/06
FI (9)：
C08J 5/00 CES ,  B29B 17/00 ,  B32B 27/20 Z ,  B32B 27/32 E ,  C08L 23/04 ZAB ,  C08L 51/06 ,  B65D 1/00 BRK B ,  B65D 1/00 BSG B ,  B65D 1/00 BSN B
F-Term (80)：
3E033AA20 ,  3E033BA15 ,  3E033BB08 ,  3E033CA03 ,  3E033CA07 ,  3E033CA16 ,  3E033GA02 ,  4F071AA15 ,  4F071AA15X ,  4F071AA29X ,  4F071AA77 ,  4F071AA78 ,  4F071AA82 ,  4F071AA88 ,  4F071AF58 ,  4F071AH05 ,  4F071BC04 ,  4F100AH02B ,  4F100AH02H ,  4F100AK04A ,  4F100AK04B ,  4F100AK04G ,  4F100AK62A ,  4F100AK62B ,  4F100AK69A ,  4F100AK69C ,  4F100AL04A ,  4F100AL05A ,  4F100AL07A ,  4F100AL07B ,  4F100AL07G ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100CA16A ,  4F100CA16B ,  4F100CA16H ,  4F100CB03G ,  4F100DA01 ,  4F100GB16 ,  4F100GB32 ,  4F100JD01 ,  4F100JD01C ,  4F100JL05 ,  4F100JL16 ,  4F100JL16A ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4F301AA13 ,  4F301AA19 ,  4F301BA12 ,  4F301BA17 ,  4F301BA21 ,  4F301BF12 ,  4F301BF31 ,  4J002BB031 ,  4J002BB051 ,  4J002BB151 ,  4J002BB212 ,  4J002BB213 ,  4J002BB224 ,  4J002BE034 ,  4J002BN052 ,  4J002BN053 ,  4J002EF036 ,  4J002EF046 ,  4J002EF056 ,  4J002EF066 ,  4J002EF076 ,  4J002EF096 ,  4J002EF126 ,  4J002EH036 ,  4J002EH126 ,  4J002EJ016 ,  4J002EJ026 ,  4J002EN116 ,  4J002EV246 ,  4J002FD070 ,  4J002GF00 ,  4J002GG01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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