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J-GLOBAL ID：200903034129245341

半導体ウェ-ハおよびその製造方法

Inventor： 原田 均 ,  神田 真史
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996227598
Publication number (International publication number)：1998055990
Application date： Aug. 09, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 表面が超高平坦度・超高光沢度の鏡面で、裏面が任意の光沢度の半導体ウェーハを得る。ウェーハ表面の周辺部のダレを防ぎ、表面からリップルを除去した半導体ウェーハを得る。超高平坦度・超高光沢度の表面でかつ高光沢度の裏面を有するウェーハの製造での研磨除去量を低減する。【解決手段】 ラップ後のシリコンウェーハをHF/HNO3/CH3COOH溶液に浸漬する。酸エッチング後のウェーハの一面にライトポリッシングを施す。ウェーハの一面を、他の面を基準としてワックスレスでメカノケミカル研磨を施す。0.05〜0.6μmだけ研磨除去する。この後、ウェーハの反対側の面には鏡面研磨(ワックス/ワックスレス)を施す。この結果、表面が鏡面で裏面が任意の光沢度のウェーハを得られる。

Claim (excerpt)：

表面に鏡面研磨が施されるとともに、裏面にライトポリッシングが施された半導体ウェーハであって、上記ライトポリッシングは、酸エッチング後の半導体ウェーハの一方の面を、その面を基準にして0.05〜0.6μmの量だけメカノケミカル研磨した半導体ウェーハ。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (4)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/306 M