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J-GLOBAL ID：200903034134295250

材料の損傷除去方法

Inventor： 平木 昭夫 ,  森 勇介 ,  平尾 孝 ,  北畠 真 ,  出口 正洋 ,  西村 一仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  大阪ダイヤモンド工業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991256822
Publication number (International publication number)：1994021027
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電子材料中に存在する損傷を除去し、その領域の結晶性を回復するための電子材料の損傷除去方法を提供する。【構成】 真空槽102内に導入した少なくとも水素原子を構成原子として有するガスを含む混合ガスに、マイクロ波発振器105からの電磁波を作用させて生じた水素ラジカルあるいは水素イオンを含む雰囲気に、損傷を有する電子材料を晒す方法である。特に、ダイヤモンド、BN又はSiCの材料に用いることが望ましい。

Claim (excerpt)：

真空槽内で、損傷した材料を、水素ラジカルあるいは水素イオンを含む雰囲気に晒すことを特徴とする材料の損傷除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-096279
  
• 特開平4-146619
  
• 特開平3-100178
  
• 特開平3-097847