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J-GLOBAL ID：200903034135781182

静電容量型半導体圧力センサ及びその製造方法

Inventor： 赤井 澄夫 ,  齊藤 宏 ,  葛原 一功 ,  西條 隆司 ,  高見 茂成
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 安藤 淳二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000013569
Publication number (International publication number)：2001201418
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 実装面積が小さく、信頼性の高い静電容量型半導体圧力センサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 変位電極3に所定の間隔で対向して配置された固定電極4を有するガラス基板5とを有して、変位電極3と固定電極4間の静電容量の変化により圧力を検出する静電容量型半導体圧力センサにおいて、ガラス基板5が、主表面に対して略直交方向、かつ第1主表面と第2主表面に端部が露出する1本又は複数本の金属線10を有する金属線入りガラス基板5であり、金属線10の一方の端部と固定電極4とを接続したことを特徴する。

Claim (excerpt)：

凹部形成による薄肉構造のダイヤフラムを有し、該ダイヤフラムに絶縁層を介して変位電極を設けた半導体基板と、前記変位電極に所定の間隔で対向して配置された固定電極を有するガラス基板とを有して、前記変位電極と前記固定電極間の静電容量の変化により圧力を検出する静電容量型半導体圧力センサにおいて、前記ガラス基板が、主表面に対して略直交方向、かつ第1主表面と第2主表面に端部が露出する1本又は複数本の金属線を有する金属線入りガラス基板であり、前記金属線の一方の端部と前記固定電極とを接続したことを特徴する静電容量型半導体圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84 B

F-Term (25)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055DD07 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA02 ,  4M112CA11 ,  4M112CA15 ,  4M112CA16 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA11 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• サーボ式静電容量型真空センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-150748   Applicant：アネルバ株式会社, 江刺正喜
• 特開平1-142427
  
• 特開平1-142427