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J-GLOBAL ID：200903034137778685

情報記録再生装置

Inventor： 塚本 隆之 ,  久保 光一 ,  平井 隆大 ,  青木 伸也 ,  ロビン・カーター ,  鎌田 親義
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006336115
Publication number (International publication number)：2008084512
Application date： Dec. 13, 2006
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】高記録密度及び低消費電力の不揮発の情報記録再生装置を提供する。【解決手段】本発明の例に関わる情報記録再生装置は、記録層と、記録層に電圧を印加して記録層に抵抗変化を発生させてデータを記録する手段とを含む。記録層は、少なくとも2種類の陽イオン元素を有する複合化合物から構成され、陽イオン元素の少なくとも1種類は、電子が不完全に満たされたd軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の最短距離は、0.32nm以下である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを具備し、前記記録層は、少なくとも2種類の陽イオン元素を有する複合化合物から構成され、前記陽イオン元素の少なくとも1種類は、電子が不完全に満たされたd軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の最短距離は、0.32nm以下であることを特徴とする情報記録再生装置。

IPC (2)：

G11B 9/04 ,  H01L 27/10

FI (2)：

G11B9/04 ,  H01L27/10 451

F-Term (5)：

5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-062131   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-018645   Applicant：シャープ株式会社