Pat
J-GLOBAL ID：200903034158065913
半導体加速度センサ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347244
Publication number (International publication number)：1994196721
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 リーク電流や出力の経時変化を抑制し得るようにした新規なトランジスタ型半導体加速度センサを提供することにある。【構成】 P型シリコン基板の主表面に絶縁膜を介して絶縁層を形成し、絶縁層上に梁形状の可動電極を形成する。そして、可動電極に対し自己整合的にP型シリコン基板に不純物を拡散して可動電極の両側において固定電極を形成し、可動電極の下の絶縁層をエッチング除去する。よって、P型シリコン基板1と、P型シリコン基板1の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動電極4と、P型シリコン基板1における可動電極4の両側に可動電極4に対し自己整合的に形成された不純物拡散層よりなる固定電極8,9と、固定電極8,9間のP型シリコン基板1上に形成された絶縁膜とを備え、加速度の作用に伴う可動電極4の変位によって生じる固定電極8,9間の電流の変化で加速度が検出される。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動電極と、前記半導体基板における前記可動電極の両側に可動電極に対し自己整合的に形成された不純物拡散層よりなる固定電極と、前記固定電極間の基板上に形成された絶縁膜とを備え、加速度の作用に伴う前記可動電極の変位によって生じる前記固定電極間の電流の変化で加速度を検出するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
