Pat
J-GLOBAL ID:200903034170426336
カーボンナノチューブの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003206764
Publication number (International publication number):2005053720
Application date: Aug. 08, 2003
Publication date: Mar. 03, 2005
Summary:
【課題】基板上においてカーボンナノチューブの生成とパターン形成を1段系で行う。【解決手段】真空中に配置したSiC基板又は有機溶媒中に配置したSi基板上に集光したレーザー光を照射し、照射部位を、真空中のSiC基板の場合は1600〜1900°Cに、有機溶媒中のSi基板の場合は500〜1000°Cに昇温させて、その照射部位においてカーボンナノチューブを生成させ、次いで基板上でレーザー光を走査することによって特定のパターンに沿ってカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
真空中に配置したSiC基板上に集光したレーザー光を照射し、照射部位を1600°C〜1900°Cに昇温させて、その照射部位においてカーボンナノチューブを生成させ、次いで基板上でレーザー光を走査することによって特定のパターンに沿ってカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (9):
4G146AA11
, 4G146AC03B
, 4G146BA08
, 4G146BA42
, 4G146BC15
, 4G146BC27
, 4G146BC33A
, 4G146BC34A
, 4G146CB16
Return to Previous Page