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J-GLOBAL ID:200903034170426336

カーボンナノチューブの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003206764
Publication number (International publication number):2005053720
Application date: Aug. 08, 2003
Publication date: Mar. 03, 2005
Summary:
【課題】基板上においてカーボンナノチューブの生成とパターン形成を1段系で行う。【解決手段】真空中に配置したSiC基板又は有機溶媒中に配置したSi基板上に集光したレーザー光を照射し、照射部位を、真空中のSiC基板の場合は1600〜1900°Cに、有機溶媒中のSi基板の場合は500〜1000°Cに昇温させて、その照射部位においてカーボンナノチューブを生成させ、次いで基板上でレーザー光を走査することによって特定のパターンに沿ってカーボンナノチューブを成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
真空中に配置したSiC基板上に集光したレーザー光を照射し、照射部位を1600°C〜1900°Cに昇温させて、その照射部位においてカーボンナノチューブを生成させ、次いで基板上でレーザー光を走査することによって特定のパターンに沿ってカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (1):
C01B31/02
FI (1):
C01B31/02 101F
F-Term (9):
4G146AA11 ,  4G146AC03B ,  4G146BA08 ,  4G146BA42 ,  4G146BC15 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33A ,  4G146BC34A ,  4G146CB16

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