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J-GLOBAL ID:200903034175840718

透明導電膜およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 静男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993190468
Publication number (International publication number):1995045128
Application date: Jul. 30, 1993
Publication date: Feb. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】 ITO膜よりも耐湿性に優れるとともに電子移動度が高い透明導電膜を提供する。【構成】 本発明の透明導電膜は、実質的に三重ルチル構造化合物からなることを特徴とする膜、またはSn,Al,Sb,Ga,InおよびGeからなる群より選択される少なくとも1種の元素がドープされた三重ルチル構造化合物から実質的になり、前記元素のドープ量が前記三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合量に対して20at%以下であることを特徴とする膜である。
Claim (excerpt):
実質的に三重ルチル構造化合物からなることを特徴とする透明導電膜。
IPC (6):
H01B 5/14 ,  C01G 30/00 ,  C01G 33/00 ,  C03C 17/25 ,  C30B 29/22 ,  H01B 13/00 503

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