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J-GLOBAL ID：200903034189119230

半導体レーザ及び光通信システム

Inventor： 魚見 和久 ,  大歳 創
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991232895
Publication number (International publication number)：1993075200
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】超高速変調の可能な半導体レーザ及びそれを用いた光通信システムの提供。【構成】半導体基板上に、量子井戸層2、不純物をドープした障壁層3、電流注入用電極9、10及び電界印加電極8を有する。電流注入電極9、10より非発振状態となる注入電流でバイアスし、電界印加電極8電圧を印加すると、障壁層3から発生した多数電子が量子井戸層2内に緩和し、レーザ発振状態となる。この半導体レーザと電気信号を印加する手段とレーザ光の伝送手段と受信部とにより光通信システムが構成される。【効果】本発明の半導体レーザによれば、量子井戸層に過剰の電子又は過剰の正孔を注入又は除去することにより、そのレーザ光出力を超高速で変調できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層と、発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、上記活性層が少なくとも一層の量子井戸層を有し、該量子井戸層内に電子・正孔対を注入する手段と、該量子井戸層内に過剰の電子又は過剰の正孔を発生させる手段とを有することを特徴とする半導体レーザ。