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J-GLOBAL ID：200903034189134182

磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置

Inventor： 牛山 雅弘 ,  尾臺 城康
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999204912
Publication number (International publication number)：2001034915
Application date： Jul. 19, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 磁気抵抗効果型ヘッドにおける再生ヘッドの下部シールド層とMRセンサとの間の下部絶縁層、および上部シールド層とMRセンサとの間の上部絶縁層が静電気によって破壊されにくい構造を提供すること。【解決手段】 磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、MRセンサ30と上部シールド層との間にある上部絶縁層51のうちMRセンサと接する部分の絶縁層および上部シールド層と接する部分の絶縁層、あるいはMRセンサと下部シールド層との間にある下部絶縁層21のうちMRセンサと接する部分の絶縁層および下部シールド層と接する部分の絶縁層を、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜で形成する。これにより、上部絶縁層又は下部絶縁層の中心部には金属原子を取り込みにくくなり、静電気による絶縁層の破壊に対する耐性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

下部シールド層と上部シールド層との間にあって磁気抵抗効果又は巨大磁気抵抗効果を有する薄膜を含むMRセンサと、前記MRセンサに縦バイアス磁界を与えるバイアス層と、前記MRセンサに検知電流を供給する電極層と、前記MRセンサと前記下部シールド層との間にある下部絶縁層と、前記MRセンサと前記上部シールド層との間にある上部絶縁層と、を備えた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記上部絶縁層が2層以上の多層膜からなり、前記上部絶縁層のうち前記MRセンサと接する部分の絶縁層、および前記上部絶縁層のうち前記上部シールド層と接する部分の絶縁層の両方が、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

F-Term (2)：

5D034BA15 ,  5D034CA07