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J-GLOBAL ID：200903034194306285

波長可変半導体レーザ

Inventor： 鈴木 明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992084926
Publication number (International publication number)：1993251829
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 波長可変時においても発振スペクトル線幅が狭い波長可変半導体レーザが得られる。【構成】 活性層7の量子井戸71に歪を導入すると、軽い正孔と電子との間の光遷移のエネルギーが重い正孔と電子との間の光遷移のエネルギーより低いためTM偏光で発振する。このとき、発振波長の制御に寄与するキャリア注入層8に量子井戸構造を導入すれば基板垂直方向への、TM偏光の光電場によるキャリアの振動が量子化されるため、プラズマ効果に寄与するキャリアの有効質量が実効的に大きくなる。発振スペクトル線幅の拡がりはキャリアの有効質量の2乗に反比例するため、従って、波長可変時において発振スペクトル線幅が狭い波長可変半導体レーザが得られる。

Claim (excerpt)：

活性領域と分布帰還領域と位相制御領域が共振器の軸方向に配置され、かつ、互いに光学的に結合した波長可変半導体レーザにおいて、前記活性領域に含まれる活性層が、井戸層の格子定数が基板の格子定数より小さく軽い正孔と電子との間の光遷移のエネルギーが重い正孔と電子との間の光遷移のエネルギーより低い第一の量子井戸構造から成り、前記分布帰還領域および位相制御領域に含まれるキャリア注入層が、複数の井戸層及び障壁層から構成された第二の量子井戸構造かな成ることを特徴とする波長可変半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02F 2/02 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-112186
  
• 特開平4-065084
  
• 特開平1-150828