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J-GLOBAL ID：200903034209898621

光導波路形成用高分子及びポリシロキサン系光導波路の製造方法

Inventor： 林田 尚一 ,  今村 三郎
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中本 宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992350132
Publication number (International publication number)：1994172533
Application date： Dec. 04, 1992
Publication date： Jun. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 可視〜近赤外域にわたり低損失で、耐熱性に優れたポリシロキサン系光導波路の製法、及びそれに有用な高分子を提供する。【構成】 一般式(化1):-〔-Si(-R<SB>1 </SB>)(-R<SB>2 </SB>)-O-〕<SB>100-m </SB>-〔-Si(-R<SB>3 </SB>){-R<SB>4 </SB>-C(Z)<SB>2 </SB>Cl}-O-〕<SB>m </SB>-又はその相当する環状ポリシロキサン〔式中R<SB>1 </SB>〜R<SB>3 </SB>は-C<SB>n </SB>Y<SB>2n+1</SB>又は-C<SB>6 </SB>Y<SB>5 </SB>(YはH、D又はハロゲン、C<SB>6 </SB>はベンゼン環、nは5以下の正の整数)、R<SB>4 </SB>は-C<SB>6 </SB>Y<SB>4 </SB>-、ZはH又はD、m<100、Yは少なくとも一部はD〕なる繰返し単位をもつ(共)重合体なる光導波路形成用高分子。コア部分の形成を、遠紫外線又は電子線照射で、使用する高分子の不溶化と、不要部分の除去によって行うポリシロキサン系光導波路の製法。

Claim (excerpt)：

下記一般式(化1)あるいは(化2):【化1】【化2】〔式中、R1 、R2 、R3 は同一又は異なり、Cn Y2n+1(Yは水素、重水素、又はハロゲン、nは5以下の正の整数)で表されるアルキル基、重水素化アルキル基、又はハロゲン化アルキル基、あるいはC6 Y5 (Yは水素、重水素、又はハロゲン)で表されるフェニル基、重水素化フェニル基、又はハロゲン化フェニル基、R4 はC6 Y4 (Yは水素、重水素、又はハロゲン)で表されるフェニレン基、重水素化フェニレン基、又はハロゲン化フェニレン基、Zは水素あるいは重水素、mは100未満の正の数であり、Yはすべて、あるいは一部が重水素である〕で表される繰返し単位を有する重合体、あるいは、一般式(化1)又は(化2)で表される繰返し単位を有する共重合体であることを特徴とする光導波路形成用高分子。

IPC (2)：

C08G 77/24 NUH ,  G02B 6/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-079043
  
• 特開昭59-193925