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J-GLOBAL ID：200903034236136547

透明導電膜のエッチング方法及び装置

Inventor： 木村 悦子 ,  河内 玄士朗 ,  松川 由佳 ,  白橋 和男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298397
Publication number (International publication number)：1994148660
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】透明導電膜のエッチング方法、及び装置において、結晶成分からなるエッチング残渣を低減できる方法、及び装置を提供すること。【構成】エッチング残渣の発生を抑制し、発生した残渣を基板から除去する工程、または手段として、具体的には、(a)エッチング液に基板を浸析して、レジスト被着部分以外の透明導電膜をエッチングにより除去する工程、(b)基板を洗浄液に浸析してエッチング液を洗浄液とすみやかに置換する工程、(c)洗浄液で基板に残留するエッチング液を洗浄すると同時に、シャワー照射,超音波印加等によりエッチング時に発生した残渣を基板から除去する工程、(d)基板を乾燥する工程、の4工程を連続して設ける。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に酸化物からなる透明導電膜を被着形成後、レジストを塗布,電極パターンを露光・現像し、次いでウェットエッチングにより該パターン部分以外の透明導電膜を除去後、レジストを剥離する、透明導電膜のパターニング方法において、ウェットエッチングの工程が、(イ)エッチング液に基板を浸析して、レジスト被覆部分以外の透明導電膜をエッチングにより除去する工程、(ロ)エッチング液を洗浄液と速やかに置換する工程、(ハ)洗浄液で基板に残留するエッチング液を洗浄すると同時に、エッチング時に発生した透明導電膜のエッチング残渣を基板から除去する工程、(ニ)基板を乾燥する工程、の4工程が連続して設けられ、かつ途中の工程中では基板を乾燥させないことを特徴とする、透明導電膜のエッチング方法。

IPC (3)：

G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/306