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J-GLOBAL ID：200903034243830017

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 村田 智司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992103634
Publication number (International publication number)：1993283561
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 樹脂封止型半導体装置の高周波特性を改善する。【構成】 リードフレーム2のダイ面3に搭載した半導体素子4等を成形樹脂1で封止する半導体装置の封止用樹脂層の一部として、微小な中空体を含んだ層(中空体と液状樹脂混合体)6を備え、この中空体を含む層6の低誘電率によって半導体装置の高周波特性を改善する。この中空体は、 0.1〜 1,000μm程度の径寸法、或いは外形寸法で形成される。

Claim (excerpt)：

半導体素子を樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、前記封止用樹脂層の一部として、微小な中空体を含んだ層を1層以上備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-080554
  
• 特開昭63-079353
  
• 特開平3-124052
  
• 特開昭61-237455