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J-GLOBAL ID：200903034248257897

薄膜作成装置

Inventor： 深沢 博之 ,  高木 憲一 ,  根岸 敏夫
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993345278
Publication number (International publication number)：1995173623
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】複数のターゲットを同時にスパッタして、薄膜の膜厚制御および組成比の調整を可能にするとともに、ターゲットのエロージョンを均一にし、窒素又は酸素の補足を十分に行うことのできる薄膜作成装置を提供する。【構成】真空チャンバー21内に基板と複数のターゲット24を対向するように配設し、プラズマ放電中のイオンでターゲットをスパッタして基板の表面に薄膜を作成する薄膜作成装置において、上記基板25を載置した基板回転機構と、上記真空チャンバー内に活性窒素又は活性酸素を供給する活性ガス供給機構28と、上記ターゲットをカソード23に取り付けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交させるようにヘリカルコイル33を配設し、そのヘリカルコイルに高周波発振源を接続した高真空高速プラズマスパッタ源とを備えたものである。

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内に基板と複数のターゲットを対向するように配設し、プラズマ放電中のイオンでターゲットをスパッタして基板の表面に薄膜を作成する薄膜作成装置において、上記基板を載置した基板回転機構と、上記真空チャンバー内に活性窒素又は活性酸素を供給する活性ガス供給機構と、上記ターゲットをカソードに取り付けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交させるようにヘリカルコイルを配設し、そのヘリカルコイルに高周波発振源を接続した複数の高真空高速プラズマスパッタ源とを備えた薄膜作成装置。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-278062
  
• 特開昭61-190070
  
• 特開平3-223458
  
• 特開昭61-266575