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J-GLOBAL ID：200903034248316893

光記録膜用保護膜のための焼結体の製造方法

Inventor： 高梨 昌二
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 鴨田 朝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998083794
Publication number (International publication number)：1999278936
Application date： Mar. 30, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリング用ターゲットに用いるターゲット材として使用した時、安定した成膜が可能なZnS-SiO2 焼結体の製造方法。【解決手段】 平均粒径が5μm以下のZnS粉末を350〜600°Cで熱処理し、該ZnS粉末を平均粒径が5μm以上のSiO2 粉末と混合して造粒粉とし、該造粒粉を焼結するZnS-SiO2 焼結体の製造方法であって、これにより該焼結体の相対密度が90%以上となる。前記焼結を、Ar雰囲気、または真空中で、950〜1100°Cの焼結温度で、150〜300kg/cm2 に加圧した状態で行うことが好ましい。前記造粒粉は、熱処理を行った前記ZnS粉末中に、球状または角状の前記SiO2 粉末を10〜30 mol%添加して混合することが好ましい。

Claim (excerpt)：

平均粒径が5μm以下のZnS粉末を350〜600°Cで熱処理し、該ZnS粉末を平均粒径が5μm以上のSiO2 粉末と混合して造粒粉とし、該造粒粉を焼結することを特徴とするZnS-SiO2 焼結体の製造方法。

IPC (4)：

C04B 35/547 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/26 531

FI (4)：

C04B 35/00 T ,  C23C 14/34 A ,  G11B 7/26 531 ,  C04B 35/00 H